[发明专利]一种光刻工艺中移相掩模版的建模方法

摘要

本发明属集成电路光刻领域，涉及一种并行化处理移相掩模建模的方法。本方法在掩模版的金属和石英的垂直交界处将其沿纵向剖分成N个垂直掩模结构，使相邻垂直掩模结构的介电常数在垂直方向分布不同。对特征垂直掩模结构用基于非连续伽勒金的谱元方法计算其电场的特征函数和特征值，并用它们作为基函数表征任意垂直掩模结构的电场分量；在水平方向，用施瓦茨迭代求解N个垂直掩模结构的电场方程及边界条件，在每次迭代中，N个垂直掩模结构的电场计算任务分配到多个计算节点并行完成，每个垂直掩模结构的左右边界条件采用相邻垂直掩模结构在上一步迭代的解。本方法具有精度高和并行计算的特性，能处理实际大规模任意结构移相掩模版的建模。

主权项

一种光刻工艺中移相掩模版的建模方法，其特征在于，输入芯片掩模版信息和光源信息后，按下述步骤，步骤1：从掩模版的结构出发，结合入射光的条件，建立掩模版的亥姆霍兹方程模型；步骤2：将掩模版纵向剖分成N个垂直掩模结构，使得两个相邻垂直掩模结构的介电常数在垂直方向分布不同，并提取其中的特征垂直掩模结构；步骤3：针对每一个特征垂直掩模结构，采用基于非连续伽勒金的谱元方法求解特征垂直结构中电场的特征函数和特征值；步骤4：建立第i个垂直掩模结构的电场模型及其边界条件；步骤5：采用并行计算和施瓦茨迭代求解N个垂直掩模结构散射场，或得最终的散射场场强分布。