[发明专利]一种GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200910049851.4 | 申请日: | 2009-04-23 |
公开(公告)号: | CN101540370A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 翟继卫;汪昌州;尚飞 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;B32B9/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 许亦琳;余明伟 |
地址: | 200092上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜,所述GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜中GeTe薄膜和Sb2Te3薄膜交替排列。本发明的GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜既具有高相变速度又具有高热稳定性,且可有效提高相变存储器的开/关比,更好地保证数据读出的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 gete sb sub te 纳米 复合 多层 相变 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜,其特征在于,所述GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜中GeTe薄膜和Sb2Te3薄膜交替排列,且单层GeTe薄膜或单层Sb2Te3薄膜的厚度范围为1-4nm。
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