[发明专利]高转化率硅基多结多叠层PIN薄膜太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提出了多结多叠层的薄膜太阳能电池及其制造方法。所述多结多叠层结构可以从相关的六种材料中选用形成二结，三结，四结，五结，六结薄膜太阳能电池。本发明采用激光结晶工艺，等离子掺杂工艺和PECVD过渡层工艺来改善各层之间的界面性能，如降低各叠层之间的界面电阻和增强薄膜材料结晶性能，并用氢化处理工艺来保持各层材料性能的稳定和改善透明导电薄膜材料和界面的透光率和导电性。电池转换效率可望达到12％-18％，并具有较好的稳定性。

主权项

一种高转化率硅基多结多叠层PIN薄膜太阳能电池，其特征是，该电池的结构为以下诸种之一：(1)基片/TCO/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/TCO/减反射膜；(2)基片/TCO/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/TCO/减反射膜；(3)基片/TCO/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/TCO/减反射膜；(4)基片/TCO/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/TCO/减反射膜；(5)基片/TCO/n层/i层/p层/中间反射层/n层/i层/p层/TCO/减反射膜；(6)基片/TCO/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/TCO/减反射膜；(7)基片/TCO/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/TCO/减反射膜；(8)基片/TCO/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/TCO/减反射膜；(9)基片/TCO/n层/p层/中间反射层/n层/p层/中间反射层/n层/p层/TCO/减反射膜；(10)基片/TCO/n层/p层/中间反射层/n层/p层/TCO/减反射膜；其中，所述p层、i层、n层均是选自μc-Si1-xGex、A-Si1-xGex、μc-SiC、A-SiC、μc-Si、A-Si半导体材料中的一种，TCO层与相邻的中间反射层之间以及相邻两中间反射层之间的膜层为一结，每结中各膜层所用半导体材料相同并组成pin结或pn结；0≤x≤1；“/”表示两层之间的界面。