[发明专利]等离子体处理装置、腔室内部件以及腔室内部件的寿命检测方法有效
| 申请号： | 200910009403.1 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101546705A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 中山博之;守屋刚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;G01N21/66;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够精确地检测腔室内部件的寿命，并能够防止由交换没有达到寿命的部件而引起的浪费、以及由于继续使用已经过寿命的部件而引起故障的发生的腔室内部件。用于等离子体处理装置的聚焦环(26)等的腔室内部件，使用组装有该腔室内部件的基板处理装置(10)对晶片(W)进行RIE处理，其中，该腔室内部件由与构成材料不同的元素、例如钪(Sc)构成的寿命检测元素层(51、52)，利用等离子体发光分光器(46)对处理气体中的发光光谱进行监视，通过检测由寿命检测元素层(51、52)引起的光谱来检测聚焦环(26)等的腔室内部件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 室内 部件 以及 寿命 检测 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种腔室内部件，其用于等离子体处理装置，其特征在于：至少埋设有一层由与构成材料不同的元素构成的寿命检测元素层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
