[发明专利]硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构

摘要

一种硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构，其中硅导通孔结构包括硅衬底、环状电容、导电通孔、低介电常数材料层以及凸块。上述环状电容位于硅衬底内，且环状电容从内到外是由第一导电层、电容介电层与第二导电层所构成。导电通孔是位于环状电容所围绕的硅衬底中，而低介电常数材料层则位于环状电容与导电通孔之间。至于凸块是与导电通孔相接触，以利于与其他芯片做接合。

主权项

一种硅导通孔的制造方法，至少包括：于硅衬底中形成第一环状沟槽；于该第一环状沟槽内形成第一导电层、电容介电层与第二导电层；于该第一环状沟槽所围绕的该硅衬底中形成开口；于该开口的内表面形成绝缘层；于该开口内填入导电材料；从该硅衬底的背面进行平坦化工艺，以去除部分该硅衬底，同时去除该开口底部的该绝缘层而构成导电通孔，并去除该第一环状沟槽底部的该第一导电层及该电容介电层；去除该绝缘层与该第二导电层之间的该硅衬底与该第一导电层及该电容介电层，以形成第二环状沟槽；于该第二环状沟槽内填入低介电常数材料；以及形成与该开口底部的该导电通孔接触的凸块。