[发明专利]具有上下侧壁接触的相变化存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910001344.3 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101604729A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有上下侧壁接触的相变化存储装置及其制造方法。该存储装置包括存储元件以及第一电极，第一电极包括环绕存储元件的内表面，且第一电极的内表面于第一接触面接触该存储元件。该装置也包括相对于第一电极间隔设置的第二电极，第二电极包括一环绕存储元件的内表面，且第二电极的内表面于第二接触面接触存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 上下 侧壁 接触 相变 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，其特征在于，包括：一存储元件；一第一电极，包括一环绕该存储元件的内表面，该第一电极的该内表面于一第一接触面接触该存储元件；一第二电极，是与该第一电极分离而设置，该第二电极包括一环绕该存储元件的内表面，且该第二电极的该内表面于一第二接触面接触该存储元件。
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