[发明专利]一种用于GaAs晶片的粗抛光溶液和粗抛光方法无效
| 申请号： | 200910000511.2 | 申请日： | 2009-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101775257A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 谭开燮;张捷;杨三贵 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;唐铁军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液和机械化学粗抛光方法，本发明的用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液，除水以外，包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。本发明的机械化学粗抛光方法，包括在机械化学粗抛光设备中，在所述抛光溶液存在下，对晶片实施机械化学粗抛光。采用本发明的溶液和方法，可以提高GaAs晶片的平整度质量，以及晶片表面镜面质量，同时能够降低机械化学粗抛光作业成本及对环境的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gaas 晶片 抛光 溶液 方法 | ||
【主权项】：
一种用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液，除水以外，包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。
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