[发明专利]为了无空隙的间隙填充制程的间隙壁外型塑造工程有效
| 申请号： | 200910000110.7 | 申请日： | 2009-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101635277A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 吴明园;莫亦先;彭治棠;叶炅翰;郑光茗;庄学理;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种为了无空隙的间隙填充制程的间隙壁外型塑造工程，一种形成半导体元件的方法，其步骤为提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极堆叠；紧邻栅极堆叠侧边形成栅极间隙壁；薄化栅极间隙壁；与在薄化栅极间隙壁步骤之后，在栅极间隙壁侧边形成次要栅极间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 了无 空隙 间隙 填充 外型 塑造 工程 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的形成方法，其特征在于该形成方法包含以下步骤：提供一半导体基板；形成一栅极堆叠于该半导体基板上；形成一栅极间隙壁紧邻该栅极堆叠侧边；薄化该栅极间隙壁；以及在薄化该栅极间隙壁后，形成一次要栅极间隙壁于该栅极间隙壁的侧边。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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