[实用新型]晶体硅-非晶硅异质结太阳电池有效
| 申请号： | 200820169329.0 | 申请日： | 2008-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN201349015Y | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李志强;黄岳文;易月星;唐则祁;胡宏勋 | 申请（专利权）人： | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 | 代理人： | 王树镛 |
| 地址： | 315177浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极(2)和设于晶体硅-非晶硅异质结太阳电池背光面(9)上的第一电极(1)，所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)。本实用新型晶体硅-非晶硅异质结太阳电池增加了受光面积以提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 非晶硅异质结 太阳电池 | ||
【主权项】：
1、一种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极(2)和设于晶体硅-非晶硅异质结太阳电池背光面(9)上的第一电极(1)，其特征在于：所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
