[实用新型]一种介电质层结构无效
| 申请号： | 200820140305.2 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN201278347Y | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 于佰华 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 屈小春 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种介电质层结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上的金属线；位于该衬底及该金属线之上的第一层介电质层，作为阻挡层；位于该第一层介电质之上的第二层介电质层；位于该第二层介电质层之上的第三层介电质层，该第三层介电质层的表面通过化学机械研磨工艺达到表面的平坦化；以及位于该第三层介电质层之上的氧化物薄膜。采用本实用新型的结构，可以解决在CMP研磨过程可能出现的刮痕问题而引起的金属连线问题，补偿调整介电质层的厚度，减少晶片与晶片之间的厚度差异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电质层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种介电质层结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上的金属线；位于该衬底及该金属线之上的第一层介电质层，作为阻挡层；位于该第一层介电质之上的第二层介电质层；位于该第二层介电质层之上的第三层介电质层，该第三层介电质层的表面通过化学机械研磨工艺达到表面的平坦化；以及位于该第三层介电质层之上的氧化物薄膜。
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