[实用新型]晶圆清洁装置无效
申请号: | 200820117021.1 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN201278343Y | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 江宗宪;郑启民 | 申请(专利权)人: | 力鼎精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3205;C23C14/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种晶圆清洁装置,特别是有关于在晶圆溅镀制程前清洁与干燥晶圆表面的一种晶圆清洁装置,其中通过一加热装置使晶圆表面处于一预定反应温度并导入一工作气体以产生清洁与干燥晶圆表面的效果。此晶圆清洁装置包括一制程室、一晶圆载盘、一气体导入装置、以及一加热装置。其中,晶圆载盘设置于制程室内,气体导入装置与加热装置则分别连接于制程室。 | ||
搜索关键词: | 清洁 装置 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆清洁装置,其特征在于,包括:一制程室;一晶圆载盘,设置于该制程室内;一气体导入装置,连接于该制程室;以及一加热装置,连接于该制程室,其中,该制程室内具有一工作气体,该晶圆载盘上设置有一晶圆,该晶圆与该工作气体具有一预定反应温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力鼎精密股份有限公司,未经力鼎精密股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200820117021.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造