[实用新型]控片和挡片有效
申请号: | 200820108301.6 | 申请日: | 2008-05-29 |
公开(公告)号: | CN201238043Y | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 江瑞星;万力 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申 健 |
地址: | 100871北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种控片和挡片,属于半导体集成电路芯片工艺领域,为解决现有技术中控片和挡片在清洗回收过程中表面产生的颗粒问题而设计。所述控片,包括硅衬底,其表面设有一层氮化硅膜。所述挡片,包括硅衬底,其表面设有一层氮化硅膜。本实用新型适用于晶圆的加工过程,特别适用于多晶硅工艺的控片和挡片。 | ||
搜索关键词: | 控片和挡片 | ||
【主权项】:
1、一种控片,其特征在于,包括硅衬底,其表面设有一层氮化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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