[实用新型]芯片中模拟开关控制电路有效
| 申请号： | 200820056450.2 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN201185410Y | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 戴忠伟 | 申请（专利权）人： | 广芯电子技术(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 胡美强 |
| 地址： | 200030上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种芯片中模拟开关控制电路，包括：第一NMOS管、第一PMOS管；还包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管；所述的第二PMOS管和第三PMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极相接，所述的第二PMOS管和第三PMOS管的源极和衬底相连，并与第一PMOS管的衬底和第四PMOS管的漏极相接；第二PMOS管和第三PMOS管的漏极分别和第一PMOS管的源极和漏极相连；第四PMOS管的源极与VDD相接。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：使开关关断后的漏电路减低到了最小，使开关打开后的导通电阻最小，电阻的平坦度最好。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 模拟 开关 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种芯片中模拟开关控制电路，包括：第一NMOS管、第一PMOS管；还包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管；其特征在于：所述的第二PMOS管和第三PMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极相接，所述的第二PMOS管和第三PMOS管的源极和衬底相连，并与第一PMOS管的衬底和第四PMOS管的漏极相接；第二PMOS管和第三PMOS管的漏极分别和第一PMOS管的源极和漏极相连；第四PMOS管的源极与VDD相接。
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