[实用新型]采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池

摘要

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池。它包括硅片，硅片表面下的高掺杂区和低掺杂区，在高掺杂区上印刷有作为高掺杂扩散磷源的磷浆，在低掺杂区上具有该磷浆中的部分磷通过沉积作用沉积到硅片表面作为低掺杂扩散磷源的沉积磷层。本太阳电池加工简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

主权项

1、一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，包括硅片(1)，硅片(1)表面下的高掺杂区(2)和低掺杂区(3)，其特征是：在所述的高掺杂区(2)上印刷有作为高掺杂扩散磷源的磷浆(4)；在低掺杂区(3)上具有该磷浆(4)中的部分磷通过沉积作用沉积到硅片(1)表面形成的作为低掺杂扩散磷源的沉积磷层(5)。