[发明专利]制备纳米级金属单质钴的一步电化学还原法无效
| 申请号： | 200810244779.6 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101451254A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张大伟;陈静娟;杨晨戈;戴俊;王百年;罗梅;陈敏 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C25C5/02 | 分类号： | C25C5/02;C25C7/00;C25C1/08 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 制备纳米级金属单质钴的一步电化学还原法，其特征是将负极材料金属锂、正极材料微米级钴氧化物、电解液以及隔离膜组装成具有锂电池结构的电化学反应器，在锂电池的电化学放电过程中，通过金属锂对钴氧化物的还原得到金属钴的纳米级粒子，经分离获得纳米级钴粒子。本发明是一种方法简单、实施方便、易于操作的制备纳米级金属单质钴的方法，能够高效地获得分散性好、粒度分布窄、形貌均匀的钴纳米粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 金属 单质 一步 电化学 还原法 | ||
【主权项】：
1、制备纳米级金属单质钴的一步电化学还原法，其特征是将负极片、正极片、电解液以及隔离膜组装成具有锂电池结构的电化学反应器；所述负极片中负极材料为金属锂、所述正极片中的正极材料为微米级钴氧化物；在所述电化学反应器的电化学放电过程中，通过金属锂对钴氧化物的还原得到金属钴的纳米级粒子，经分离获得纳米级钴粒子。
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