[发明专利]一种欧姆接触式射频开关及其集成工艺有效
| 申请号： | 200810240374.5 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101620952A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;侯智昊;李志坚;刘红超 | 申请（专利权）人： | 清华大学;上海得倍电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01P1/10;H01H11/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王朋飞 |
| 地址： | 100084北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极进行驱动。本发明还对应提出一种欧姆接触式射频开关的集成工艺。本发明的技术方案使用玻璃、陶瓷等绝缘材料作为衬底，利用PECVD工艺制作的非晶硅薄膜作为偏置电阻，实现了偏置电阻的片上集成；同时通过特殊的工艺步骤，实现了欧姆接触式射频开关，使其保持了MEMS器件的可集成、偏置电路简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 射频 开关 及其 集成 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，其特征在于，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极进行驱动。
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