[发明专利]一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810239845.0 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101748319A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨志民;毛昌辉;杜军;杨剑;董桂霞;马书旺;罗君 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C22C29/16 | 分类号： | C22C29/16;B32B15/01;C22C1/05;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法，所述抗电子屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相，其量为15-35vol.％；AlN为低Z介质相，其量为85-65vol.％。本发明的抗电子辐射屏蔽材料是具有高的屏蔽效率、高导热率、绝缘的高能电子屏蔽材料，此材料具有比高原子序数金属(钽、钨、铅等)更高的屏蔽效率，可以使电子辐照沉积剂量降低两个数量级以上，并且不破坏元器件原有的散热条件，保证元器件工作时芯片的温度满足正常工作的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 辐射 屏蔽 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗电子辐射屏蔽材料，其特征在于：所述抗电子辐射屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相，其量为15-35vol.％；AlN为低Z介质相，其量为85-65vol.％。
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