[发明专利]液浸曝光用抗蚀剂组合物及用其生产半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200810215302.5 | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101666977A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;小泽美和 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/075 | 分类号： | G03F7/075;G03F7/004;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;陈 晨 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物包括基体树脂，该基体树脂通过酸转化为碱溶性，根据发明实施例的一个方面。抗蚀剂组合物进一步包含具有含硅侧链树脂，该树脂能通过酸转化为碱溶性的，其中硅含量与基体树脂与该树脂的总量相比，为1wt％或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 用抗蚀剂 组合 生产 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，其包括：基体树脂，该基体树脂通过酸转化为碱溶性的，和具有含硅侧链的树脂，该树脂能通过酸转化为碱溶性的，其中硅的含量相对于基体树脂和具有含硅侧链的树脂的总量为1wt％或更低。
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