[发明专利]BCD集成工艺有效
| 申请号： | 200810207836.3 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764101A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 永福;龚大卫;陈雪萌;吕宇强 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8248 | 分类号： | H01L21/8248 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种BCD集成工艺，在局部氧化隔离步骤之后增加沟槽光刻步骤；对于BCD集成工艺中的DMOS器件，该沟槽光刻步骤利用局部氧化隔离步骤中形成的氧化物和氮化物作为阻挡层，在形成的沟槽中生长栅极氧化层，并淀积多晶硅填充沟槽；对于BCD集成工艺中的双极型器件，在该沟槽光刻步骤形成的沟槽中填充钨形成双极型器件的集电区。本发明的BCD集成工艺可以成倍的提高DMOS和双极型晶体管的性能，最大程度的发挥BCD工艺的优点，而且附加的工艺步骤也较少。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 集成 工艺 | ||
【主权项】：
一种BCD集成工艺，其特征在于，在局部氧化隔离步骤之后增加沟槽光刻步骤；对于BCD集成工艺中的DMOS器件，该沟槽光刻步骤利用局部氧化隔离步骤中形成的氧化物和氮化物作为阻挡层，在形成的沟槽中生长栅极氧化层，并淀积多晶硅填充沟槽；对于BCD集成工艺中的双极型器件，在该沟槽光刻步骤形成的沟槽中填充钨形成双极型器件的集电区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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