[发明专利]一种消除双极NPN晶体管的铝尖锲的方法有效
| 申请号： | 200810202993.5 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101740366A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 程学农;曹元;周景晖 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3215;H01L21/331;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种消除双极NPN晶体管的铝尖楔的方法，其特征在于，在双极NPN晶体管的制造过程中，在孔段步骤和布铝步骤之间，作氮化钛淀积。本发明能彻底地消除双极NPN晶体管的铝尖楔，从而改善低压、浅结、非多晶发射区的双极NPN晶体管的发射结漏电现象，进而提高双极NPN晶体管性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 npn 晶体管 铝尖锲 方法 | ||
【主权项】：
一种消除双极NPN晶体管的铝尖锲的方法，其特征在于，在双极NPN晶体管的制造过程中，在孔段步骤和布铝步骤之间，作氮化钛淀积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润矽科微电子有限公司，未经无锡华润矽科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810202993.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：预制式直埋保温管补口接头结构
- 下一篇：电控离合机构及轮式管道检测机器人
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
