[发明专利]新型有机半导体固态激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 200810201991.4 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101388523A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 魏斌;孙三春;张建华;张志林 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01S5/36 | 分类号： | H01S5/36;H01S5/10 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明及一种新型有机半导体固态激光器及其制备方法。该激光器是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个分布型布拉格共振器DBR或分布反馈型共振器DFB；该共振器选用LiF、SiO2、SiNx或Al2O3通过真空镀膜或者磁控溅射方法完成，其布拉格波长λBragg的计算公式为：λBragg＝neff 2Λ/m，其中neff是有效的折射率常数，m和Λ分别是光栅的衍射级和周期。本发明结合光致发光和电致发光，利用高强度的OLED的EL光，泵浦同一器件上的低ASE阈值有机薄膜，以此避免OLED期间中的有机发光层中对电荷和激子对光的吸收，以及强光产生的激子拆分，实现OLED泵浦型激光。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 有机半导体 固态 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种新型有机半导体固态激光器，以有机电致发光二极管为模板，其特征在于该激光器是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个分布型布拉格共振器DBR；该分布型布拉格共振器选用光刻胶、氟化锂、氧化硅、氮化硅或氧化铝通过甩胶、真空镀膜或者磁控溅射方法完成，其布拉格波长λBragg的计算公式为：λBragg＝neff2Λ/m，其中neff是有效的折射率常数，m和Λ分别是光栅的衍射级和周期；根据光波导分析软件KAPPA，可以求出上式中λBragg与Λ的关系，然后通过与实验观测到的波长比较，确定振动方式和激光特性。
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