[发明专利]一种非极性GaN薄膜及其生长方法有效
| 申请号： | 200810200458.6 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101364631A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非极性GaN薄膜及其生长方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)衬底上，在N2保护下，升温到800－900℃，生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min，然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－200sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－1E－3mole/min，然后再升温到1150－1200℃，生长高温U－GaN约100nm，然后再降温到1000－1100℃生长U－GaN。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，短暂的高温U－GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 gan 薄膜 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非极性GaN薄膜，其利用MOCVD系统在铝酸锂衬底上合成生长，其特征在于：该薄膜包括在铝酸锂衬底上依次生长的低温保护层、U-GaN(非掺杂氮化镓)层、高温U-GaN层及另一U-GaN层。
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