[发明专利]半导体结构和包括该结构的薄膜光伏器件无效
| 申请号： | 200810147346.9 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101651166A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;单洪青;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构和包括该结构的薄膜光伏器件，所述半导体结构用于薄膜光伏器件的光吸收，包括基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅的p层；在p层表面的非晶锗本征i层；和在非晶锗本征i层表面的基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅或a-SiGe的n层。所述薄膜光伏器件为三结光伏器件，包括本征层为非晶硅的顶结光电转换单元；本征层为纳米晶硅的中间结光电转换单元和本征层包括非晶锗的底结光电转换单元。本发明的半导体结构和包括该结构的薄膜光伏器件能够进一步提高多结薄膜光伏器件的性能并降低产业化制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 包括 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，用于薄膜光伏器件的光吸收，所述半导体结构包括：基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅的p层；在p层表面的非晶锗本征i层；和在非晶锗本征i层表面的基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅或a-SiGe的n层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
