[发明专利]一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法有效
| 申请号： | 200810147013.6 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101651090A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法。该第二基板为该第一基板的异质基板。根据本发明制造该第一基板的方法包括：首先制备一第二基板；接着，形成一缓冲层于该第二基板上；之后，形成一半导体材料层于该缓冲层上。该缓冲层辅助该半导体材料层的形成，并且作为一剥离层。最后，该制造方法通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该第二基板脱离该半导体材料层，其中该半导体材料层作为第一基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 第一 过程 回收 第二 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造第一基板的方法，该方法包含下列步骤：制备一第二基板；形成一缓冲层于该第二基板上；形成一半导体材料层于该缓冲层上，该缓冲层辅助该半导体材料层的形成并且该缓冲层作为一剥离层；以及通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该第二基板脱离该半导体材料层，其中该半导体材料层作为该第一基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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