[发明专利]一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法无效
| 申请号： | 200810113860.0 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593679A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋中伟;王文新;陈弘;周均铭;郭丽伟;贾海强;李卫;高汉超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01L27/15;H01S5/343;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1.3微米以上，半峰宽仅为20毫电子伏特，量子点具有良好的尺寸均匀性。此外，本发明也公开了一种外延生长1.3微米波长的均匀量子点材料结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 锑化镓 覆盖层 调制 砷化铟 量子 材料 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料结构，包括：一基底；一砷化镓过渡层；一砷化铟自组装量子点层，设置在所述砷化镓过渡层上；一第一砷化镓覆盖层，设置在所述砷化铟自组装量子点层上；一锑化镓覆盖层，设置在所述第一砷化镓覆盖层上；一第二砷化镓覆盖层，设置在所述锑化镓覆盖层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
