[发明专利]荧光猝灭分析中去除猝灭剂吸收影响的校正方法

摘要

一种荧光猝灭分析中去除猝灭剂吸收影响的校正方法，是通过单独荧光试剂受激发光激发后所产生的荧光的实际测量谱a和荧光试剂与猝灭剂混合样品所产生的荧光的实际测量谱b来获得曲线A′和曲线B′，以A′表征对荧光试剂与猝灭剂的混合样品，去除直接吸收影响后荧光试剂实际可以发出的未被猝灭的荧光谱，以B′表征所述A′被猝灭剂猝灭以后的荧光谱线。以本发明方法可以克服荧光猝灭分析中猝灭剂吸收作用所产生的影响，使得那些原本因吸收谱存在交迭而不适合采用荧光猝灭法进行分析的物质现在可以利用荧光猝灭法进行分析，扩大了荧光猝灭分析的应用范围。

主权项

1、荧光猝灭分析中去除猝灭剂吸收影响的校正方法，其特征按如下步骤进行：a、用光谱曲线a校正获得曲线A′；所述光谱曲线a为单独荧光试剂受激发光激发后所产生的荧光的实际测量谱，以函数I1(λ)表征光谱曲线a；以函数I1′(λ)表征对荧光试剂与猝灭剂的混合样品，去除直接吸收影响后荧光试剂实际可以发出的未被猝灭的荧光谱曲线A′；则${I_1}^{\prime }\left(\lambda \right)=\frac{{10}^{-\Delta E_1}(1-{10}^{-\Delta E_2})[1-{10}^{-n(\Delta E_1+\Delta E_2)}]}{(1-{10}^{-n·\Delta E_2})[1-{10}^{-(\Delta E_1+\Delta E_2)}]}\times I_1\left(\lambda \right)---\left(1\right)式(1)中\Delta E1＝\epsilon 1c1\Delta l为猝灭剂对应激发波长的元消光度；\Delta E2＝\epsilon 2c2\Delta l为荧光试剂对应激发波长的元消光度；\Delta l为样品细分单元层的厚度；n为样品细分单元层的层数；\epsilon 1为猝灭剂对应激发波长的摩尔吸收系数；\epsilon 2为荧光试剂对应激发波长的摩尔吸收系数；c1为猝灭剂的摩尔浓度；c2为荧光试剂的摩尔浓度；令：测量荧光谱时所用样品池的宽度和厚度均为L，将样品池中的样品假定为一系列与激发光垂直的等厚薄层，每一个薄层均为一细分单元层，则\Delta l、n、L三者间的关系为：n\times \Delta l＝L。b、用光谱曲线b校正获得校正曲线B\prime ；所述光谱曲线b为荧光试剂与猝灭剂混合样品所产生的荧光的实际测量谱；用函数I2\; (\lambda )表征曲线b，用函数I2\prime (\lambda )表征所述A\prime 被猝灭剂猝灭以后的荧光谱线曲线B\prime ；则$ {I_2}^{\prime }\left(\lambda \right)={10}^{\frac{n}{2}\Delta E_1\left(\lambda \right)}\times I_2\left(\lambda \right)---\left(2\right)式(2)中\Delta E1(\lambda )＝\epsilon 1(\lambda )c1\Delta l为猝灭剂与波长相关的元消光度函数；\epsilon 1(\lambda )为猝灭剂与波长相关的摩尔吸收系数函数；c1为猝灭剂的摩尔浓度；\Delta l为样品细分单元层的厚度；n为样品细分单元层的层数。$$