[发明专利]具有晶粒接收开孔的芯片尺寸影像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810097798.0 | 申请日: | 2008-05-29 |
公开(公告)号: | CN101315939A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 杨文焜;张瑞贤;许献文;林殿方 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有晶粒接收开孔的芯片尺寸影像传感器及其制造方法,影像传感器包含具有晶粒接收穿孔以及接触穿孔的基板,其中终端接触垫形成于接触穿孔之下,接触垫形成于基板上表面。具微透镜区域的晶粒通过黏胶材料配置于晶粒接收穿孔内。厚介电层形成于上述晶粒主动表面以及除微透镜区域外的基板上表面。输出入焊垫形成于晶粒与基板上,用以电性连接的连接线耦合至晶粒的接合垫及基板的接触垫。核心材质填充进入晶粒边缘、晶粒背部、穿孔侧壁间的缝隙。透明罩利用黏胶置于晶粒与介电层之上产生一空隙介于透镜与透明罩之间。导电凸块选择性耦合到终端垫。本发明公开的产品和方法可广泛应用于半导体技术领域中。 | ||
搜索关键词: | 具有 晶粒 接收 芯片 尺寸 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像传感器,包含基材,其特征在于,该基材具有晶粒穿孔以及接触穿孔形成于其中,终端垫形成于所述的接触穿孔之下侧以及接触垫配置于该基板的上表面;影像传感器晶粒,置于该晶粒穿孔中,其中该影像传感器晶粒具有微透镜区域;介电层,形成于该晶粒以及该基板之上,并露出该微透镜区域、接合垫区域以及接触垫区域;接合导线,形成于该晶粒与该基板之上,用以耦合该晶粒以及接触垫;核心材质,填充于该晶粒与该晶粒穿孔侧壁之间,以及该晶粒背面;及透明罩,配置于该晶粒以及该介电层之上,且产生一间隙位于该透明罩与该微透镜之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的