[发明专利]掩模布局方法、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810097071.2 | 申请日： | 2008-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101304025A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李相熙;曹甲焕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/146;H01L23/00;H01L21/00;H01L21/82;G03F1/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种掩模布局方法、半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括主图案，第一虚设图案以及第二虚设图案。所述主图案可沉积于衬底上。所述第一虚设图案和所述第二虚设图案可围绕所述主图案的侧边沉积。所述第一虚设图案具有内部开放区域。所述第二虚设图案可沉积于所述第一虚设图案的所述内部开放区域，以使所述第一虚设图案围绕所述第二虚设图案。 | ||
| 搜索关键词： | 布局 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：主图案，其位于衬底上；第一虚设图案，其位于所述主图案的侧边，所述第一虚设图案具有开放区域；以及第二虚设图案，其位于所述第一虚设图案的所述开放区域上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810097071.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电加热微粒过滤器制备方法和系统
- 下一篇：电加热微粒过滤器重启动策略
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
