[发明专利]用于相变存储器封装的方法、装置和系统无效
| 申请号： | 200810096677.4 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101281924A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | A·沙 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于相变存储器封装的方法、装置和系统。根据一个实施例，公开了一种管芯组件，包括封装衬底和位于该封装衬底上的多个堆叠管芯，所述多个堆叠管芯至少包括最高管芯、最低管芯和位于最高管芯和最低管芯之间的至少一个相变存储器管芯，其中最高管芯和最低管芯是非功能性隔离管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 封装 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
1、一种装置，包括：封装衬底；和位于所述封装衬底上的多个堆叠管芯，所述多个堆叠管芯至少包括最高管芯、最低管芯和位于所述最高管芯和所述最低管芯之间的至少一个相变存储器管芯，其中所述最高管芯和最低管芯是隔离管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
