[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810096655.8 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276816A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 平林圣一 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明的具有晶体管电路和泄放电阻电路的半导体装置中，为了抑制泄放电阻的电阻值变动而具有以下结构。具有：晶体管电路，在晶体管结构之上，隔着层间绝缘膜(107)层叠作为金属膜的势垒金属膜(104)以及布线膜(103)而成；泄放电阻电路，在由多晶硅膜构成的泄放电阻(102)之上，隔着层间绝缘膜(107)层叠作为金属膜的布线膜(103)或仅将与泄放电阻(102)接合的部分作为势垒金属膜(104)。影响到作为多晶硅膜的泄放电阻(102)的应力变少，能够抑制泄放电阻(102)的电阻值变动。此外，对于用作晶体管电路的布线的金属膜而言，由于存在势垒金属膜，所以，不会损害布线的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，具有：晶体管电路，在晶体管结构上，隔着层间绝缘膜层叠金属膜而成；泄放电阻电路，在由多晶硅膜构成的泄放电阻上，隔着层间绝缘膜层叠金属膜而成，其特征在于，在所述晶体管电路中层叠的所述金属膜由势垒金属膜以及布线膜构成，另一方面，在所述泄放电阻电路中层叠的所述金属膜由布线膜构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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