[发明专利]动态随机存取存储器和存储器阵列有效
申请号: | 200810096513.1 | 申请日: | 2008-05-12 |
公开(公告)号: | CN101582425A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 黄文魁 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/522 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 台湾省桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种动态随机存取存储器,包括衬底、位线、字线、凹入式沟道、导电插塞和沟槽式电容器。在前述动态随机存取存储器中,位线是以第一方向配置于衬底上,字线则以第二方向配置于位线上。而凹入式沟道是位于字线下方的两位线间的衬底中,导电插塞连接凹入式沟道和字线。沟槽式电容器则配置于凹入式沟道以外的两位线之间的衬底内。由于字线可借由不增加芯片面积的方式直接与凹入式沟道电性连接,所以可加快字线的存取时间又不增加芯片大小。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 存储器 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种动态随机存取存储器,其特征在于,包括:一衬底;多条位线,以一第一方向配置于该衬底上;多条字线,以一第二方向配置于该些位线上;多个凹入式沟道,位于该些字线下方的两位线间的该衬底中;多个导电插塞,连接每一字线与该些凹入式沟道;以及多个沟槽式电容器,配置于该些凹入式沟道以外的两条位线之间的该衬底内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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