[发明专利]凸块制程

摘要

本发明提供一种凸块制程，是提供一晶片，该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫，再覆盖一保护层于晶片的主动表面上，并裸露出接垫，接着形成一凸块下金属层于接垫上，再配置一胶膜于保护层上，并覆盖凸块下金属层。接着对胶膜进行选择性的曝光，使得位于凸块下金属层上方的胶膜受到曝光，并移除胶膜的曝光部分，使得凸块下金属层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上，并移除晶片上剩余的胶膜，再借助回焊制程使锡膏形成一金属凸块。

主权项

1.一种凸块制程，包含下列步骤：提供一晶片，该晶片具有一主动表面及至少一接垫形成于该主动表面上；覆盖保护层于该晶片的主动表面上，并裸露出该接垫；形成凸块下金属层于该接垫上；配置胶膜于该保护层上，并覆盖该凸块下金属层；对该胶膜进行选择性的曝光，使得位在该凸块下金属层上方的胶膜受到曝光；移除该胶膜的曝光部分，并留下该胶膜未曝光的部分，以使得该凸块下金属层裸露；分布锡膏于该凸块下金属层上；移除该晶片上剩余的胶膜；及借助第二回焊制程使该锡膏形成金属凸块。