[发明专利]源气体供给装置无效
申请号: | 200810095708.4 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101294278A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 许官善;李永浩;李炳一;张泽龙 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种源气体供给装置,将作为基于化学蒸镀法的薄膜蒸镀时的原料的固体状的源物质气体化,供给到蒸镀室内。本发明涉及的源气体供给装置,包括加热源物质而生成源气体的源物质蒸发部(21)和向上述源物质蒸发部(21)供给使上述源气体运输到蒸镀室的输运气体的输运气体供给部(24),且在源物质蒸发部(21)内,设置有抑制源物质通过输运气体而移动到源物质蒸发部(21)的外部的构件(25、26、27)。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 装置 | ||
【主权项】:
1、一种源气体供给装置,在基于化学蒸镀法的薄膜蒸镀时使用,其特征在于,包括:源物质蒸发部,加热源物质而生成源气体;及输运气体供给部,向上述源物质蒸发部供给上述源气体运输到蒸镀室的输运气体;在上述源物质蒸发部内,设置有抑制上述源物质通过上述输运气体而移动到上述源物质蒸发部的外部的构件。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的