[发明专利]气源供给装置和方法有效
申请号: | 200810094831.4 | 申请日: | 2008-04-28 |
公开(公告)号: | CN101298666A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 李炳一;张泽龙 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐冰冰;黄剑锋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种气源供给装置和方法,由化学蒸镀法进行薄膜蒸镀时使用。本发明涉及的气源供给装置(100)包括:源物质储存部(20),储存作为气源的原料的源物质(22);源物质蒸发部(30),对源物质(32)进行加热从而产生气源;源物质供给管(40),将源物质储存部(20)所储存的源物质(22)供给到源物质蒸发部(30);以及,源物质控制部(42),为了将规定量的源物质(32)供给到源物质蒸发部(30)而设置在源物质供给管(40)上。 | ||
搜索关键词: | 供给 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气源供给装置,由化学蒸镀法进行薄膜蒸镀时使用,其特征在于,包括:源物质储存部,储存有作为气源的原料的源物质;源物质蒸发部,对所述源物质加热从而产生气源;源物质供给管,将所述源物质储存部所储存的源物质供给到所述源物质蒸发部;以及,源物质控制部,为了将规定量的源物质供给到所述源物质蒸发部而设置在所述源物质供给管上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的