[发明专利]具有批单元传送功能的垂直炉以及相关的传送控制方法无效
申请号: | 200810092630.0 | 申请日: | 2008-04-16 |
公开(公告)号: | CN101290871A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 郑在祐;崔相国 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 黄启行;陆锦华 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种成批传送晶片至垂直炉的系统和方法。该方法包括:接收与推进操作相关的整批信息并将该整批信息存储在与垂直炉相关联的存储器中,其中整批信息标识多个批;从垂直炉的I/O端口将与多个批相关联的多个承载器顺序地传送到承载器保持器;在承载器保持器接收多个承载器中的所有承载器之前,将来自承载器保持器的多个承载器中的至少一个传送到晶片传送台;并从来自晶片传送台的该多个承载器中的至少一个将晶片传送到晶舟。 | ||
搜索关键词: | 具有 单元 传送 功能 垂直 以及 相关 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造系统,其包括:操作员接口服务器,其利于用户指定包括多批的整批、设置相关的整批信息并产生与所述整批信息相关联的控制命令;主计算机,其响应于从所述操作员接口接收的所述控制命令,定义控制制造工序的制法,并产生控制推进操作的命令,所述推进操作基于逐批地传送晶片到垂直炉/从所述垂直炉传送晶片;其中,所述垂直炉包括:I/O端口,其接收与所述多个批相关联的多个承载器;晶片承载器传送器,其从所述I/O端口将所述多个承载器顺序地传送到承载器保持器;晶片传送台,其从所述承载器保持器接收所述多个承载器;和晶片传送器,其从布置在所述晶片传送台中的所述多个承载器将晶片传送到晶舟,其中,在从所述I/O端口将所述多个承载器传送到所述承载器保持器期间,从所述承载器保持器将所述多个承载器传送到所述晶片传送台和从布置在所述晶片传送台中的所述承载器将所述晶片传送到所述晶舟同时发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造