[发明专利]半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置无效
| 申请号： | 200810092129.4 | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101271871A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 菅原良孝 | 申请（专利权）人： | 关西电力株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L29/744;H01L29/861;H01L29/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李家麟;刘宗杰 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了得到可控制电流较大且损失较低的功率半导体装置，使用加热器等加热装置令使用宽间隙半导体的双极半导体元件的温度上升。该温度是比这样的温度高的温度，在所述这样的温度下，随所述宽间隙双极半导体元件的温度上升而降低的内嵌电压的降低数量所对应的所述宽间隙双极半导体元件的恒定损失的减少数量变得比随所述温度的上升而增加的导通电阻的增加数量所对应的所述恒定损失的增加数量大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 使用 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：使用由于基面位错导致的有叠层缺陷的宽间隙半导体的、在正向特性上具有内嵌电压的宽间隙双极半导体元件；容纳所述宽间隙双极半导体元件，并具有用于把所述宽间隙双极半导体元件连接到外部装置上的电气连接部件的半导体封装；和把所述半导体封装内的所述宽间隙双极半导体元件加热到大于等于50℃的发热部件。
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