[发明专利]一种席夫碱配合物修饰碳糊电极的制备方法无效
| 申请号： | 200810088387.5 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101251505A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘峥;温玉清 | 申请（专利权）人： | 桂林工学院 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种席夫碱配合物修饰碳糊电极的制备方法。将0.03～0.050g 5－溴水杨醛缩牛磺酸席夫碱镍配合物溶解在1mL N，N－二甲基甲酰胺(DMF)溶剂、再加入0.300～0.400g石墨粉，搅拌均匀放入真空干燥箱中，50℃下真空干燥，即可获得电极材料；将干燥后的电极材料磨成粉末并与0.14～0.18g石蜡加热到80℃搅匀，迅速装入玻璃管中压紧，趁热在另一端插入铜导线，冷却后在称量纸上抛光，即制得了5－溴水杨醛缩牛磺酸席夫碱镍配合物修饰碳糊电极。本发明制作方法简单，制备的电极对甲醛有较高的电催化氧化活性，可应用于环境样品中甲醛的分析测定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 席夫碱 配合 修饰 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种席夫碱配合物修饰碳糊电极的制备方法，其特征在于具体步骤为：将0.030～0.050g 5-溴水杨醛缩牛磺酸席夫碱镍配合物溶解在1mL N，N-二甲基甲酰胺溶剂中，再加入0.300～0.400g石墨粉，搅拌均匀放入真空干燥箱中，50℃下真空干燥，即可获得电极材料；将干燥后的电极材料磨成粉末并与0.14～0.18g石蜡加热到80℃搅匀，迅速装入玻璃管中压紧，趁热在另一端插入铜导线，冷却后在称量纸上抛光，即制得了5-溴水杨醛缩牛磺酸席夫碱镍配合物修饰碳糊电极。
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