[发明专利]单级页表自身内存的保护方法及装置有效
| 申请号： | 200810088270.7 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101266579A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 梁金祥;傅仁武 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尚志峰;吴孟秋 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单级页表自身内存的保护方法，包括以下步骤：查询单级页表所在的内存区域S0、单级页表中的第一层页表所在的内存区域S1、单级页表中的第二层页表所在的内存区域S2、...、单级页表中的第n－1层页表所在的内存区域Sn－1、以及单级页表中的第n层页表所在的内存区域Sn，其中，单级页表中的第n层页表的页表项位于单级页表中的第n层页表中，n≥1；以及分别将内存区域S0中内存区域S1以外的部分、内存区域S1中内存区域S2以外的部分、...、内存区域Sn－1中内存区域Sn以外的部分、以及内存区域Sn保护起来。其中，单级页表中的连续页表项所占的内存区域连续。 | ||
| 搜索关键词： | 单级页表 自身 内存 保护 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单级页表自身内存的保护方法，其中，所述单级页表中的连续页表项所占的内存区域连续，其特征在于，所述方法包括：查询所述单级页表中的第0层页表所在的内存区域S0、所述单级页表中的第1层页表所在的内存区域S1、所述单级页表中的第2层页表所在的内存区域S2、...、所述单级页表中的第n-1层页表所在的内存区域Sn-1、以及所述单级页表中的第n层页表所在的内存区域Sn，其中，所述单级页表中的第n层页表的页表项位于所述单级页表中的第n层页表中，所述单级页表称为第0层页表，第0层页表所占用内存对应的页表称为所述第1层页表，所述第1层页表所占用内存对应的页表称为所述第2层页表，......，所述第n-1层页表所占用内存对应的页表称为所述第n层页表，n≥1；依次将所述内存区域S0中所述内存区域S 1以外的部分、所述内存区域S 1中所述内存区域S2以外的部分、...、所述内存区域Sn-1中所述内存区域Sn以外的部分、以及所述内存区域Sn保护起来。
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