[发明专利]在含有电介质材料的硅形成中改进的空隙填充沉积

摘要

本发明涉及包含电介质材料的硅的形成中改进的空隙填充沉积，其公开了一种用于在形成于衬底上的沟槽中形成电介质材料的化学气相沉积方法，其中，所述方法包括将氢气和氧气与水蒸气生成催化剂接触产生水蒸气，并且将所述水蒸气供给到工艺腔室的步骤。该方法还包括含硅前体引入到容纳所述衬底的工艺腔室，将氧化气体引入到腔室，以及在所述含硅前体、氧化气体以及水蒸气之间产生反应以在沟槽中形成电介质材料。该方法还包括随时间增加引入到腔室中的所述含硅前体与氧化气体的比率以改变所述电介质材料的沉积速率。

主权项

1、一种用于在衬底上形成的沟槽中形成电介质材料的化学气相沉积方法，该方法包括：通过将氢气和氧气与水蒸气生成催化剂接触以产生水蒸气并且将所述水蒸气提供给工艺腔室；将含硅前体引入容纳所述衬底的所述工艺腔室；将氧化气体引入所述工艺腔室；以及在所述含硅前体、氧化气体和所述水蒸气之间产生反应以在所述沟槽中形成所述电介质材料；以及随时间增加引入到所述腔室中的所述含硅前体与所述氧化气体的比率以改变所述电介质材料的沉积速率。