[发明专利]制造等离子体反应器部件的方法无效
申请号: | 200810082780.3 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101276733A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 埃尔米拉·赖亚博瓦;杰·袁;珍妮弗·孙 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明在此提供一种制造等离子体反应器部件的方法,该部件由硅制成。该方法包括生长硅样品,机械加工该硅样品以形成部件,和通过顺序地暴露该部件于一种或多种气体而退火该部件。在硅生长和后机械加工退火期间设计工艺条件以提供尤其适合用于腐蚀环境的硅部件。 | ||
搜索关键词: | 制造 等离子体 反应器 部件 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造硅部件的方法,包括:(a)使用循环硅生长工艺提供硅样品,包括:(a1)在第一惰性气体环境中开始硅生长,持续第一时间段;(a2)在第二还原气体环境中继续硅生长,持续第二时间段;(a3)在第二惰性气体环境中继续硅生长,持续第三时间段;以及(a4)重复(a2)和(a3)进行足够数目的循环直到对于该硅样品获得所需的特性;(b)机械加工该硅样品以形成部件;以及(c)退火该部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810082780.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微波发热体载热装置及其工业加热设备
- 下一篇:一种麦田除草剂组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造