[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810081736.0 申请日: 2008-03-06
公开(公告)号: CN101261970A 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 大谷克实 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 具有:半导体元件(1);与上述半导体元件(1)的主面对向配置的热传导体(91);以及密封上述半导体元件(1)与上述热传导体(91)的至少一部分的密封树脂体(6),在上述热传导体(91)的上面的至少一部分上设置从上述密封树脂体(6)露出的露出部,并且在上述热传导体(91)的上述露出部上设置开口部(11),上述开口部(11)的周边形成作为向着与上述半导体元件(1)相反一侧突出的突出部的突出部(91b)。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体元件;与所述半导体元件的主面对向配置的热传导体;以及密封所述半导体元件与所述热传导体的至少一部分的密封树脂体,半导体装置在所述热传导体上面的至少一部分上具有从所述密封树脂体露出的露出部,在该半导体装置中,在所述热传导体的所述露出部上设置开口部,所述开口部的周边形成向与所述半导体元件相反一侧突出的突出部。
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