[发明专利]钛/锆膜形成用涂布剂、钛/锆膜形成方法及用钛/锆膜涂覆的金属基材无效

专利信息
申请号: 200810080859.2 申请日: 2008-02-22
公开(公告)号: CN101265376A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 永井彰典;矶崎理 申请(专利权)人: 关西涂料株式会社
主分类号: C09D7/12 分类号: C09D7/12;C09D5/00;C09D163/00;C09D161/06;C09D133/02;C09D175/04;C09D129/04;C09D177/00;C09D101/02;C23F15/00;C01G23/00;C01G25/00;B05D7/14
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;郭国清
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种含钛/锆的膜形成用涂布剂,其含有使(A)钛化合物及(B)锆化合物与双氧水反应得到的含钛/锆水性溶液,其中,所述(A)钛化合物是选自水解性钛化合物、水解性钛化合物的低缩合物、氢氧化钛及氢氧化钛的低缩合物中的至少一种,所述(B)锆化合物是选自水解性锆化合物、水解性锆化合物的低缩合物、氢氧化锆及氢氧化锆的低缩合物中的至少一种。另外,本发明还提供一种钛/锆膜形成方法及形成了由该涂布剂构成的被膜的涂覆金属基材。
搜索关键词: 形成 用涂布剂 方法 锆膜涂覆 金属 基材
【主权项】:
1.一种钛/锆膜形成用涂布剂,其含有使(A)钛化合物及(B)锆化合物与双氧水反应而得到的含钛/锆水性溶液,其中,所述(A)钛化合物是选自水解性钛化合物、水解性钛化合物的低缩合物、氢氧化钛及氢氧化钛的低缩合物中的至少一种,所述(B)锆化合物是选自水解性锆化合物、水解性锆化合物的低缩合物、氢氧化锆及氢氧化锆的低缩合物中的至少一种。
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