[发明专利]半导体集成电路装置的布线构造及其设计方法和设计装置无效

专利信息
申请号: 200810080531.0 申请日: 2008-02-21
公开(公告)号: CN101252117A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 荒木章之;岛田纯一;尾川广和;藤本和彦;藤井力;安井卓也 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;G06F17/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种考虑由气隙引起的布线间寄生电容降低带来的效果和弊害、并考虑成品率而生成所需最低限度的气隙用的半导体集成电路装置的布线构造及其设计方法和设计装置。在工序(S7003)中,对布线后的输入布局数据(7001)的布线图案的每条布线的布线宽度进行检测,或检测每个区域的布线密度。然后,在工序(S7004)中,基于所述工序(S7003)的检测结果,利用由工艺确定的布线宽度/布线密度条件(7005),确定在进行CMP时容易产生阶梯差的宽幅布线或布线密度高的区域。而后,在工序(S7006)中,确定在通过所述工序(S7004)确定的宽幅布线或布线区域的周边区域形成圆锥部高的气隙的布线间隔位置,在工序(S7007)中,基于该检测结果,生成或删除气隙生成区域。
搜索关键词: 半导体 集成电路 装置 布线 构造 及其 设计 方法
【主权项】:
1、一种布线构造,是半导体集成电路装置中具有气隙的布线层的布线构造,仅在宽幅布线与其他布线的布线间隔为一定值以下的布线区域存在气隙。
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