[发明专利]一种宽工作范围半导体泵浦的单纵模倍频激光器有效
| 申请号： | 200810071283.3 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101304153A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;凌吉武;顾世杰;马英俊;彭永进 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109;H01S3/098;H01S3/06;H01S3/16;H01S3/08;H01S3/00 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 | 代理人： | 方惠春;黄国强 |
| 地址： | 350000福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种宽工作范围半导体泵浦的单纵模倍频激光器，其包括泵浦源，激光增益介质和谐振腔，所述谐振腔为由前、后腔镜，低级次波片及偏振起偏器构成的扭摆模腔，其特征在于：所述低级次波片由光轴相互垂直的倍频晶体构成。本发明利用扭摆模腔结构实现微片式腔内倍频单纵模输出：使光轴相互垂直的倍频晶体成为零级全波片、二分之一波片或其它低级次波片，所述低级次波片设在两片四分之一波片之间或之外，这样就不影响四分之一波片消除增益介质的空间烧孔效应，又由于低级次波片温度带宽较宽，从而实现宽温度范围单纵模倍频输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工作范围 半导体 单纵模 倍频 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种宽工作范围半导体泵浦的单纵模倍频激光器，其包括泵浦源，激光增益介质和谐振腔，所述谐振腔为由前、后腔镜，低级次波片及偏振起偏器构成的扭摆模腔，其特征在于：所述低级次波片由光轴相互垂直的倍频晶体构成。
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