[发明专利]一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法

摘要

本发明公开了一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法。该方法是采用氧化法将薄膜状的单壁纳米碳管中的无定形碳杂质除去，然后，使用一定浓度的盐酸除去金属催化剂颗粒。本方法可快速得到高纯度的单壁纳米碳管，经透射电子显微镜的观察与分析表明，单壁纳米碳管薄膜的纯度在95％以上，且纯化后的单壁纳米碳管薄膜仍以薄膜状态存在。这为单壁纳米碳管薄膜的应用研究提供了大面积、高纯度的薄膜材料。特别是在制备大面积场发射显示器、燃料电池催化剂载体的电极和电磁波的吸波材料等方面有望得到应用。

主权项

1.一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法，其特征在于包括如下步骤：1)将厚度为1微米～100微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1～2小时，然后再用30mm×30mm×3mm～50mm×50mm×3mm的普通玻璃基板或硅基板将其捞出，使单壁纳米碳管薄膜平展在普通玻璃基板或硅基板上，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；或者，将直接沉积在普通玻璃基板或硅基板表面上厚度为1微米～100微米的单壁纳米碳管薄膜，直接放入无水酒精中浸泡1～2小时，取出普通玻璃基板或硅基板后，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；2)把附着在普通玻璃基板或硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，氧化温度为380℃～480℃，氧化时间为2～4小时；3)将经氧化后附着在普通玻璃基板或硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡8～24小时，以除去金属催化剂颗粒。