[发明专利]用于X射线曝光的光刻掩模结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于X射线曝光的光刻掩模结构，该结构由低原子序数金属薄膜、聚酰亚胺薄膜和高原子序数金属吸收体图形自下而上依次构成。本发明同时公开了一种制备光刻掩模结构的方法。利用本发明，因为采用了低原子序数金属铝、聚酰亚胺和高原子序数金属吸收体的多层膜结构，完全可以用于微米、深亚微米和纳米尺度下的X射线光刻。与基于无机薄膜的掩模相比，具有成本低、工艺流程简单、不容易破裂等优点；与有机薄膜的掩模相比，还具有机械强度大、不容易变形、导热性能好等优点。

主权项

1、一种用于X射线曝光的光刻掩模结构，其特征在于，该结构由低原子序数金属薄膜、聚酰亚胺薄膜和高原子序数金属吸收体图形自下而上依次构成。