[发明专利]InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法有效
| 申请号： | 200810055348.5 | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101345192A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 冯志宏;刘波;尹甲运 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法，其采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量AlN和AlGaN，该方法采用下述工艺步骤：(1)在衬底上直接生长InAlN缓冲层或者生长完AlN或AlGaN形核层后再生长InAlN缓冲层；(2)在InAlN缓冲层上生长高质量的AlN或AlGaN结晶层；(3)进行器件结构的多层生长。利用本方法生长AlN或AlGaN晶体时，能降低材料的位错密度，改善界面平整度，提高材料的质量；同时增大生长窗口，使材料生长更容易，进而改善日盲型的紫外探测器件的性能，大大提高我国探测器件的武器装备水平。而且探测器件也是民用火灾监测系统的主要部件。 | ||
| 搜索关键词： | inaln 缓冲 生长 aln algan 方法 | ||
【主权项】：
1、一种InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法，采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量AlN和AlGaN，其特征在于该方法采用下述工艺步骤：(1)、在衬底上直接生长InAlN缓冲层或者生长完AlN或AlGaN形核层后再生长InAlN缓冲层；(2)、在InAlN缓冲层上生长高质量的AlN或AlGaN结晶层；(3)、进行器件结构的多层生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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