[发明专利]基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法无效
| 申请号： | 200810054697.5 | 申请日： | 2008-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101244802A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吕树海;杨拥军;徐永青;齐荣巧 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050051河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法，属于微机械传感器加工领域，用于制作微机械高深宽比结构。其基本过程为：选用符合硅硅键合要求的单晶硅片；对单晶硅片局部刻蚀，形成具有一定深度的硅腔体；将带有硅腔体单晶硅片与另一片单晶硅片进行硅硅键合，形成一个带硅腔体的材料；再进行微结构的高深宽比刻蚀。本发明在硅硅键合前增加一步在支撑层或者结构层上刻蚀硅腔体的步骤，利用硅腔体的深度控制微机械结构和衬底之间的纵向距离，以调整活动结构的阻尼。利用本方法加工时，刻蚀的区域内没有氧化层，可以避免刻蚀过程中产生footing效应，能够精确的实现高深宽比的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅硅键合 高深 微机 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法，其特征在于其加工过程包括：在符合硅硅键合要求的单晶硅片上刻蚀出一定深度的腔体，将上述所得的带有腔体的单晶硅片与另一片单晶硅片进行硅硅键合，在对应腔体的上面的结构层上刻蚀高深宽比的微机械结构。
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