[发明专利]在单晶衬底上制备CeO2隔离层薄膜的方法

摘要

本发明涉及在单晶衬底上制备CeO₂隔离层薄膜的方法。本发明是采用两步方法制备CeO₂隔离层薄膜：先在单晶衬底上低温淀积一层CeO₂薄膜，然后在高温下再淀积一层CeO₂薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成CeO₂隔离层薄膜。在制作高温超导薄膜过程中，采用本发明制作的CeO₂隔离层薄膜能有效地隔离单晶衬底材料与高温超导薄膜之间的互扩散，并调整与高温超导薄膜之间的晶格匹配，以获得外延生长和平整表面形貌，以及高性能的高温超导薄膜。

主权项

1、一种在单晶衬底上制备CeO2隔离层薄膜的方法，其特征在于所述的CeO2隔离层薄膜采用两步法淀积工艺，即在单晶衬底基片的一面或两面上先低温淀积一层CeO2薄膜，然后在高温下再淀积一层CeO2薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成CeO2隔离层薄膜，其中低温淀积温度为200℃-500℃；高温淀积温度为600℃-900℃。