[发明专利]双正斜角槽终端半导体分立器件可控硅及其制造方法无效
| 申请号： | 200810051398.6 | 申请日： | 2008-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101393929A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 邵长海;于雄飞;车振华 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 双正斜角槽终端半导体分立器件可控硅及其制造方法属于半导体器件及半导体器件制造技术领域。现有器件是一种双面正斜角结构器件，其制作是将具有四层三端结构的芯片加工成圆片状，夹持该芯片并高速旋转，在V形磨具的研磨下，在芯片侧面形成V形槽，形成双面正斜角结构。只能逐片加工，产品都是大尺寸芯片。本发明在N型硅单晶片上扩散隔离区，将硅单晶片分割为若干矩形芯片，在芯片有N+区的端面四周分别有一条双正斜角槽，双正斜角槽的上端起始于隔离区与上P区的分界处，下端终止于N-区，双正斜角槽与上P区下表面的夹角θ、与所述弧形界面交点的切线的夹角β均为锐角。沿隔离区中线切割该N型硅单晶片获得若干矩形芯片。应用于半导体分立器件可控硅制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 斜角 终端 半导体 分立 器件 可控硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双正斜角槽终端半导体分立器件可控硅，具有双正斜角结构和PN-PN+四层三端结构，其特征在于，芯片为矩形，在芯片的四周终端有隔离区(1)，隔离区(1)与P区以及与N-区之间的界面(3)呈弧形；在芯片有N+区的端面四周分别有一条双正斜角槽(2)，双正斜角槽(2)的上端起始于隔离区(1)与上P区的分界处，双正斜角槽(2)的下端终止于N-区，双正斜角槽(2)与上P区下表面的夹角θ、以及双正斜角槽(2)与所述弧形界面交点的切线的夹角β均为锐角。
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